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J-GLOBAL ID：200903069871291379

多値情報記憶素子、その使用方法およびその製造方法

Inventor： 山向 幹雄
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003099374
Publication number (International publication number)：2004311512
Application date： Apr. 02, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】加工が容易であり、プロセス工程数を抑制し、誤動作を生じずに高い信頼性で書き込みおよび読み出しができる多値情報記憶素子を提供する。【解決手段】多値情報を記憶する多値情報記憶素子であって、2つの電圧付加部1,4の間に、第1の抗電圧を有する第1の強誘電体層2と、第1の抗電圧と異なる第2の抗電圧を有する第2の強誘電体層3とを積層した積層誘電体構造を有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

多値情報を記憶する多値情報記憶素子であって、 2つの電圧付加部の間に、第1の抗電圧を有する第1の強誘電体層と、前記第1の抗電圧と異なる第2の抗電圧を有する第2の強誘電体層とを積層した積層強誘電体構造を備える、多値情報記憶素子。

IPC (5)：

H01L27/105 ,  G11C11/22 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (3)：

H01L27/10 444A ,  G11C11/22 503 ,  H01L29/78 371

F-Term (9)：

5F083FR05 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA62 ,  5F101BF05