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J-GLOBAL ID：200903069875212333

化合物半導体の成長方法

Inventor： 石川 秀人
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991358633
Publication number (International publication number)：1993182907
Application date： Dec. 28, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プレーナドーピングにより得られる飽和シートキャリア濃度を任意に制御することを可能とする。【構成】 アンドープInP層2をMOCVD法によりエピタキシャル成長させた後、ドーピングガスとしてのSi2 H6 とともにSi脱離作用を有するPH3 を供給してSiをプレーナドーピングし、アンドープInP層2の表面にSiプレーナドーピング層3を形成する。このドーピングの際のドーピング温度、Si2 H6 の供給流量及びPH3 の供給流量を制御することにより、飽和シートキャリア濃度を制御する。

Claim (excerpt)：

アンドープ III-V族化合物半導体層を気相成長させる工程と、上記気相成長を停止させた状態でドーピングガス及びV族元素の水素化物を供給してシートキャリア濃度がほぼ飽和シートキャリア濃度に達するまでドーピングする工程とを有し、上記ドーピングの際のドーピング温度、上記ドーピングガスの供給流量及び上記V族元素の水素化物の供給流量を制御することにより上記飽和シートキャリア濃度を制御するようにした化合物半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22