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J-GLOBAL ID：200903069885013290
両面スパッタ成膜方法及びその装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993018414
Publication number (International publication number)：1993295538
Application date： Feb. 05, 1993
Publication date： Nov. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は基板の両面に薄膜をスパッタ成膜する装置に関し、特に基板とスパッタターゲットの距離を最適化してターゲットから放出されたスパッタ粒子の付着効率を向上とターゲットの利用効率を向上することにある。【構成】基板4に対し両面にカソード7を設置し、かつ基板4とカソード7のターゲット13との距離を基板直径の5分の1から2.5分の1にする。またカソード7の磁気回路を複数個の電磁石により構成する。【効果】ターゲットから放出されるスパッタ粒子の基板への付着確率の向上とターゲットの利用効率の向上と薄膜の膜厚均一性と膜質の向上がはかれ、薄膜製品の原価低減と品質向上が可能となる。
Claim (excerpt)：
基板の両面に薄膜を形成するマグネトロンスパッタ成膜方法であって、磁力線が前記基板の両面で対称に分布して前記基板の両側で互いに反撥し合い、かつ前記磁力線のうちの主たる磁力線が前記基板を横切らないような磁場を形成し、ターゲット上に発生したプラズマを前記磁場中に閉じ込めて前記ターゲットをスパッタすることを特徴とするスパッタ成膜方法。
IPC (3)：
C23C 14/35
, G11B 5/85
, H01F 41/18
