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J-GLOBAL ID：200903069894443770

半導体ウエハ上への突起電極形成方法

Inventor： 川野辺 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994010822
Publication number (International publication number)：1995221101
Application date： Feb. 02, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】半導体集積回路装置の製造技術に関し、特にTAB方式におけるウエハ上の突起(バンプ)電極形成に適用して、その生産性、信頼性を向上させ、さらにコストを低減させる突起電極形成方法を提供する。【構成】半導体ウエハ上の半導体集積回路素子の最上部の配線層として、アルミニウム合金10と銅(又は、ニッケル)9の積層配線層を形成し、この積層配線層を形成するときに、複数の外部引出電極パッド部2それぞれから半導体ウエハのダイシング領域12上に延在する引出配線を同時に形成し、それらをダイシング領域12上で接続して共通通電部4とする。電気めっきによる突起電極8形成はこのダイシング領域12上の共通通電部4を用いて行ない、突起電極8形成後は上記共通通電部4をエッチング除去する。【効果】従来方法では不可欠であったバリアメタルが不要となるために材料費が低減され、工程数も減少する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ上に形成される電子回路素子の最上部配線を、銅またはニッケルあるいはそれらの合金が表面に出る構造に形成し、それと同時に突起電極を形成する部分からそれぞれウエハのダイシング領域に導通用の引出線を形成し、これらをダイシング領域上で接続し、電気めっき法で突起電極を形成する際の共通通電部とし、上記突起電極形成後、上記引出線をエッチング除去することを特徴とする半導体ウエハ上への突起電極形成方法。