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J-GLOBAL ID：200903069895967373

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

Inventor： 味香 夏夫 ,  大井 誠
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991347125
Publication number (International publication number)：1993183168
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【構成】 フローティングゲート49となる多結晶シリコン膜、シリコン酸化膜35、シリコン窒化膜37が積層されたシリコン基板1の全面上に、CVD法を用いて多結晶シリコン膜を形成する。多結晶シリコン膜を熱酸化することによりシリコン酸化膜79にする。【効果】 多結晶シリコン膜を熱酸化することにより、シリコン酸化膜79を形成している。シリコン窒化膜37を熱酸化することによりシリコン酸化膜を形成する方法に比べ、この方法は熱酸化の時間を短くすることができる。また、フッ酸を用いてシリコン酸化膜をエッチングする場合、熱酸化によって形成されるシリコン酸化膜はCVD法で形成されたシリコン酸化膜に比べエッチング速度が遅い。このためエッチングの制御がしやすく、シリコン酸化膜の厚みを所望値にすることが可能となる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主表面上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にフローティングゲートを形成する工程と、前記フローティングゲート上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を順に形成する工程と、前記シリコン窒化膜上に多結晶シリコン膜またはアモルファスシリコン膜のうち少なくともいずれか一方を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜および前記アモルファスシリコン膜のうち、前記シリコン窒化膜上に形成された膜を熱酸化し、シリコン酸化膜にする工程と、前記シリコン酸化膜上にコントロールゲートを形成する工程と、を備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792