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J-GLOBAL ID：200903069904652755
半導体光変調器、半導体光検出器ならびに集積化光源とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276591
Publication number (International publication number)：1994102476
Application date： Sep. 21, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高速で低チャーピングな多重量子井戸構造光変調器を提供する。【構成】 量子井戸構造の光吸収層を採用した電界吸収型光変調器は低電圧駆動・低挿入損失などの点で有望であるが、光吸収過程で発生したキャリアが量子井戸層内に蓄積されるパイルアップと呼ばれる現象が起き易く、これが原因で高速変調時の伝送特性を劣化させる。この蓄積されたキャリア、特に正孔に注目し、その有効質量を軽くするため、この光吸収遷移過程で電子と重い正孔の代わりに電子と軽い正孔が生成されるようにした構造や、また共鳴トンネリングが起きる構造を採用することで、キャリアが引き抜き易く高速応答が可能な光変調器を提案した。
Claim (excerpt)：
量子井戸層において伝導帯の電子と価電子帯の軽い正孔との間の光吸収遷移エネルギーが基底エネルギーである量子井戸構造の光吸収層と、該光吸収層に電界を印加するための電極構造とを半導体基板上に備えることを特徴とする半導体光変調器。
IPC (5)：
G02F 1/025
, H01L 27/15
, H01S 3/10
, H01S 3/103
, H01L 31/10
