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J-GLOBAL ID：200903069916112349
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998023151
Publication number (International publication number)：1999224857
Application date： Feb. 04, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】本発明は、超微細加工技術、又は選択成長のためのマスクを用いることなく、量子箱を位置制御可能に形成することが出来る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、自己組織化形成の生じにくいGaAs(221)面を有する半導体層1の表面上に、自己組織化形成が生じやすいGaAs(221)面以外の面を有するエッチングパターン1bを形成する工程と、前記半導体層1の表面にInAsの層を形成することにより、前記エッチングパターン1b上にInAsからなる量子箱3を自己組織化形成する工程とを備えることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
自己組織化形成の生じにくい面方位を有する第1の半導体の表面上に、自己組織化形成が生じやすい面方位を有するパターンを形成する工程と、前記第1の半導体の表面に第2の半導体を形成することにより、前記パターン上に前記第2の半導体からなる量子箱を自己組織化形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
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