Pat

J-GLOBAL ID：200903069918571731

ドライエッチング装置およびエッチング方法

Inventor： 館 良男
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992132200
Publication number (International publication number)：1993326454
Application date： May. 25, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体のパターン配線の異方性エッチングにおいて、下地段差の影響によって発生する微小な残りを防止する。【構成】 下部電極1を固定し、上部電極2をエッチング中に傾斜、回転可能とすることで、イオンを斜めにして、半導体ウェーハ6の下地段差部分の被エッチング物質を除去する。【効果】 下地の膜減り、配線寸法の不均一をなくして完全な残りの無いエッチングができる。

Claim (excerpt)：

異方性ドライエッチング装置において、対向する2電極の間の傾きを任意に設定でき、かつ少なくとも一方の電極を回転可能とした機構を有するドライエッチング装置。