レジストパターン形成方法、ポジ型レジスト組成物及び積層体

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002350353
Publication number (International publication number)：2004184637
Application date： Dec. 02, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

【課題】パターンサイズの制御性よくレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、該方法に用いられるポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いた積層体を提供すること。【解決手段】下記一般式(I)で表される(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、プレべークし、選択的に露光した後、露光後加熱(PEB)を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンのパターンサイズを加熱処理により狭小する。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、プレべークし、選択的に露光した後、露光後加熱(PEB)を施し、アルカリ現像してレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、得られたレジストパターンのパターンサイズを加熱処理により狭小する狭小工程とを備えるレジストパターン形成方法であって、前記(A)成分として、下記一般式(I)

IPC (3)：

G03F7/40 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (3)：

G03F7/40 511 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (25)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB04 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB23 , 2H025CB30 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CC17 , 2H025FA17 , 2H025FA33 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096GA08 , 2H096HA01 , 2H096HA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

レジスト用樹脂、レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-224538 Applicant：株式会社東芝
ポジ型感放射線性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-221889 Applicant：東レ株式会社
ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-188853 Applicant：日本電気株式会社

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