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J-GLOBAL ID：200903069965749042

シルセスキオキサン誘導体およびその製造方法

Inventor： 吉田 一浩 ,  森本 芳孝 ,  渡辺 健一 ,  大竹 伸昌
Applicant, Patent owner： チッソ株式会社
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2003011277
Publication number (International publication number)：WO2004024741
Application date： Sep. 03, 2003
Publication date： Mar. 25, 2004
Summary：

本発明は、電子材料、光学材料、電子光学材料、または触媒担持体として用いるためのシルセスキオキサン誘導体(PSQ誘導体)およびその製造方法に関する。既存のPSQ誘導体には、一般的な有機重合体との相溶性が悪いというの問題点がある。本発明は、一般的な有機重合体との相溶性が改善された新規なPSQ誘導体およびこれを短時間かつ低コストで製造するための方法を提供する。本発明のPSQ誘導体は式(1)で示され、一般的な有機重合体に対して難燃性、耐熱性、耐候性、耐光性、電気絶縁性、表面特性、硬度、力学的強度、耐薬品性などを向上させるための添加剤として利用できる。式(1)において、Rは水素、アルキル、アリールまたはアリールアルキルである;Yの少なくとも1つは式(2)で示される基であり、Yの残りは水素である;式(2)において、R1およびR2は独立してRと同様に定義される基である;そして、Zは官能基またはその官能基を有する基であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

式(1)で示されるシルセスキオキサン誘導体。

IPC (1)：

C07F 7/08

FI (1)：

C07F7/08 X

F-Term (8)：

4H049VN01 ,  4H049VP08 ,  4H049VQ07 ,  4H049VQ12 ,  4H049VQ18 ,  4H049VQ20 ,  4H049VQ25 ,  4H049VQ26