Pat
J-GLOBAL ID：200903069978259826
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993247820
Publication number (International publication number)：1995106418
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】この発明は、配線断線不良の発生を防止し、且つ高速、高周波数動作をさせる際の信号遅延の発生を防止する。【構成】ビアホ-ル26a の内及び第3のTEOS酸化膜27の上にカ-ボン28a からなる赤外線吸収体28を形成する。次に、赤外線吸収体28に赤外線を照射することにより、赤外線吸収体28の温度を350°Cとする。この結果、ビアホ-ル26aの近傍における第2のTEOS酸化膜26中のSi-F、Si-OH、Si-H結合基等の不純物を、分解し、酸化膜26の外へ拡散することにより、赤外線吸収体28の近傍に不純物の濃度を低下させた領域26b を形成する。次に、赤外線吸収体28を除去し、ビアホ-ル26a の内及び第3のTEOS酸化膜27の上に第2の金属配線29を形成している。従って、配線断線不良の発生を防止でき、且つ高速、高周波数動作をさせる際の信号遅延の発生を防止できる。
Claim (excerpt)：
第1の金属配線と、前記第1の金属配線の上に設けられ、Si-F結合基を低濃度で含む領域とSi-F結合基を高濃度で含む領域とを有する絶縁膜と、前記Si-F結合基を低濃度で含む領域に設けられた前記第1の金属配線の上に位置するビアホ-ルと、前記ビアホ-ルの内及び前記ビアホ-ル近傍の前記絶縁膜の上に設けられた第2の金属配線と、を有する多層配線を具備することを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 21/90 S
, H01L 21/90 V
