Pat

J-GLOBAL ID：200903069982162250

半導体装置封止用樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置

Inventor： 瀧川 幸雄 ,  矢野 映 ,  川原 登志実 ,  深澤 則雄 ,  森岡 宗知
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998124802
Publication number (International publication number)：1999315189
Application date： May. 07, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 封止後のボイドやクラックの発生、樹脂層の機械的強度の低下、シリコン素子との接着強度の低下を抑制し、さらには個々の素子にウェーハを切断する際の衝撃による剥離が発生しない、高信頼性の半導体装置の製造に有用な封止用樹脂組成物の提供。【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む半導体装置封止用樹脂組成物において、無機充填材が、その表面に水酸基を含有するシリカを含みかつその水酸基含有シリカにおいて、トリメトキシシランを脱アルコール反応させた時、その反応に関与するトリメトキシシランの量が0.05ミリモル/g以上であるように構成する。

Claim (excerpt)：

エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む半導体装置封止用樹脂組成物であって、前記無機充填材が、その表面に水酸基を含有するシリカを含みかつその水酸基含有シリカにおいて、トリメトキシシランを脱アルコール反応させた時、その反応に関与するトリメトキシシランの量が0.05ミリモル/g以上であることを特徴とする半導体装置封止用樹脂組成物。

IPC (7)：

C08L 63/00 ,  C08K 3/36 ,  C08K 9/06 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (7)：

C08L 63/00 C ,  C08K 3/36 ,  C08K 9/06 ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 23/30 R