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J-GLOBAL ID：200903069995376461

高周波スイッチ

Inventor： 田中 聡 ,  岡本 達人 ,  北山 太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994096057
Publication number (International publication number)：1995303001
Application date： May. 10, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は移動体通信器向けの送信受信切り換えスイッチに関するものであり、低通過損失で高アイソレーション特性の高周波スイッチ実現を目的とする。【構成】 SPDTスイッチの信号を通すFETに並列にインダクタを接続する。【効果】 本発明はFETで構成されるスイッチ回路の寄生容量をインダクタで打ち消すもので低通過損失、高アイソーレションのスイッチを実現するものである。またインダクタの数に制限を加えることで集積化時のチップ面積の削減を図っている。

Claim (excerpt)：

複数のFETで構成される複数の入出力端子をもつスイッチ回路において第1の入出力端子から他の入出力端子への経路となるFETトランジスタの少なくとも1つのFETに対して並列にインダクタ素子を接続したことを特徴とする高周波スイッチ。

IPC (2)：

H01P 1/15 ,  H03K 17/693