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J-GLOBAL ID：200903070011135742

Ib-IIIb-VIb族化合物半導体

Inventor： 森 健 ,  高見沢 稔 ,  阪口 新
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995037471
Publication number (International publication number)：1996195501
Application date： Jan. 18, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 CuInGaSe2化合物半導体における光電変換効率のバラツキを同光電変換層に別種の元素を含ませることにより減少させる。【構成】 CuInGaSe2を主成分とした薄膜4の形成時にNaを蒸着法により所定量だけ含ませて化合物半導体を作製する。

Claim (excerpt)：

Ib族、IIIb族、VIb族の各々より選ばれる元素を含んで成る化合物半導体で、原子半径が1.70オングストローム以上の元素を重量で5ppm〜5%の割合で含有することを特徴とするIb-IIIb-VIb族化合物半導体。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  C23C 14/06