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J-GLOBAL ID：200903070013637281

高集積素子用微細コンタクト形成方法

Inventor： ジョン キム
Applicant, Patent owner： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニー リミテッド
Agent (1)： 笹島 富二雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993039850
Publication number (International publication number)：1994085086
Application date： Mar. 01, 1993
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】段差(Topology) が甚だしく大きい半導体素子で特に発生するショート、抵抗の増加等の問題を解消して工程マージンが得られるようにする。【構成】Topologyを有する半導体素子のコンタクト領域上に、マスク工程により形成される最小線幅より小さい線幅のコンタクトパッド12,13を、平坦化用絶縁層7と同一の高さで平坦になるように形成し、予定した配線又は電極を前記コンタクトパッドに接続させる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に素子分離酸化膜,ゲート酸化膜,ゲート電極,ソース及びドレインを具備したMOSFETを形成した後、前記ゲート電極上に第1絶縁層を形成し、前記ソース又は/及びドレイン上の第1絶縁層を除去してコンタクトホールを形成し、導電層を露出させたソース又は/及びドレイン上に微細コンタクトを形成する高集積素子用微細コンタクト形成方法において、前記MOSFETを含む、第1絶縁層上に絶縁膜を厚く塗布して平坦化用第2絶縁層を形成し、該第2絶縁層上に第1ポリシリコン層,第3絶縁層及び感光膜を順次、予定された厚さで塗布する第1の工程と、前記ソース又は/及びドレインのコンタクトが形成される領域上に形成された感光膜を除去して感光膜パターンを形成し、感光膜が除去されて露出した第3絶縁層の部分を蝕刻して第3絶縁層パターンを形成する第2の工程と、前記感光膜パターンを除去して第3絶縁層パターン側壁に第4絶縁層スペーサを形成する第3の工程と、前記第3絶縁層パターンと第4絶縁層スペーサとを第1ポリシリコン層のマスクとして、マスクされずに露出した部分を蝕刻して第1ポリシリコンパターンを形成する第4の工程と、前記第3絶縁層パターンと第4絶縁層スペーサを除去した後、第1ポリシリコンパターンを第2絶縁層のマスクとして、マスクされずに露出した部分を蝕刻してソース及びドレインが露出したコンタクトホールを形成する第5の工程と、前記コンタクトホール及び第1ポリシリコンパターン上に第2ポリシリコン層を平坦化するまで蒸着し、蒸着した後、エッチバックして前記一定厚さの第2ポリシリコン層、及び第1ポリシリコンパターンを除去してソース及びドレインに接続されたコンタクトパッドを形成する第6工程と、前記コンタクトパッドに、予定された電極又は配線の導電層をコンタクトする第7の工程と、によって前記ソース又は/及びドレイン上に微細コンタクトを形成することを特徴とする高集積素子用微細コンタクト形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/44 ,  H01L 27/108