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J-GLOBAL ID:200903070015093173

圧電体薄膜評価装置、原子間力顕微鏡

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 若林 忠
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993048307
Publication number (International publication number):1994258072
Application date: Mar. 09, 1993
Publication date: Sep. 16, 1994
Summary:
【要約】【目的】 圧電体薄膜の圧電性を精度よく測定し、櫛形電極を形成するためのリソグラフィーやパターニングを必要としない。【構成】 圧電体薄膜103上の上部電極104にカンチレバー106の自由端部が接触した状態で、カンチレバー106の表面に光源109より光ビームが照射され、カンチレバー106より反射された反射光ビームの位置が位置検出素子110により検出される。そして、電流電圧測定器113により圧電体薄膜103の上下電極間に電圧が印加されると、圧電体薄膜103が歪んでカンチレバー106の自由端部が変位し、カンチレバー106より反射する光ビームが位置検出素子110上にてずれて入射される。したがって、このときの位置検出素子110からの検出信号に基づいて、位置検出信号処理回路111およびCPU114により圧電性薄膜の圧電性が評価される。
Claim (excerpt):
表裏面にそれぞれ電極が形成された圧電体薄膜の表電極に、自由端部を接触させた片持ち梁部材と、前記圧電体薄膜の表裏電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記片持ち梁部材の表面に光源より光ビームを照射し、前記片持ち梁部材より反射された反射光ビームの位置を検出する位置検出手段と、前記位置検出手段からの検出信号をもとに、前記圧電性薄膜における変位量および圧電定数を算出する算出手段とを備えた圧電体薄膜評価装置。
IPC (2):
G01B 21/30 ,  H01J 37/28

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