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J-GLOBAL ID：200903070021087584
高周波スイッチ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995148542
Publication number (International publication number)：1997008501
Application date： Jun. 15, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：
【要約】【目的】本発明は移動体通信器向けの送信受信切り換えスイッチに関するものであり、低通過損失で高アイソレーション特性の高周波スイッチ実現を目的とする。【構成】SPDTスイッチの信号を通すFETに並列にインダクタを接続する。【効果】本発明はFETで構成されるスイッチ回路の寄生容量をインダクタで打ち消すもので低通過損失、高アイソーレションのスイッチを実現するものである。またインダクタの数に制限を加えることで集積化時のチップ面積の削減を図っている。
Claim (excerpt)：
電界効果型トランジスタのドレイン端子とソース端子間にインダクタを並列接続したことを特徴とする電子回路。
IPC (2)：
FI (2)：
H01P 1/15
, H03K 17/693 A
