Pat

J-GLOBAL ID：200903070029562940

シリコンウェーハのイントリンシックゲッタリング処理法

Inventor： 佐藤 裕樹 ,  降屋 久
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994177940
Publication number (International publication number)：1996045945
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 1000°C以下の熱処理で所望のイントリンシックゲッタリング効果を奏する。またDZ層の厚さを任意に変えることができる。【構成】 シリコンウェーハを加熱してイントリンシックゲッタリング処理するときに、酸素析出核を含むシリコンウェーハを室温から800〜1000°Cまで急速加熱して0.5〜20分間保持する工程を含む。この工程の後で、更にシリコンウェーハを室温まで放冷する工程と、放冷したシリコンウェーハを500〜700°Cから2〜10°C/分の速度で800〜1100°Cまで加熱しその温度で2〜48時間保持する工程とを含むことが好ましい。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハを加熱してイントリンシックゲッタリング処理する方法において、酸素析出核を含むシリコンウェーハを室温から800〜1000°Cまで急速加熱して0.5〜20分間保持する工程を含むことを特徴とするシリコンウェーハのイントリンシックゲッタリング処理法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• シリコンウェーハの熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-135066   Applicant：コマツ電子金属株式会社