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J-GLOBAL ID：200903070029567550

エピタキシャルシリコン基板及び固体撮像装置並びにこれらの製造方法

Inventor： 滝澤 律夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998064781
Publication number (International publication number)：1999251322
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シリコンエピタキシャル層を素子形成層にして特性の優れた半導体装置を高い歩留りで形成することができるエピタキシャルシリコン基板及び白傷欠陥が少なくて歩留りが高い固体撮像装置並びにこれらの製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板11に炭素14及び窒素15をイオン注入し、このSi基板11上にSiエピタキシャル層17を形成する。窒素15によってSi基板11中における酸素の析出が加速され、ゲッタシンクとしての炭素14と酸素との化合物をSi基板11中に形成することができる。このため、Siエピタキシャル層17中に混入する金属不純物を強力にゲッタリングすることができる。

Claim (excerpt)：

炭素及び窒素を含むシリコン基板と、このシリコン基板の表面上に積層されているシリコンエピタキシャル層とを有することを特徴とするエピタキシャルシリコン基板。

IPC (3)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/146

FI (4)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/322 J ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/14 A