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J-GLOBAL ID：200903070029765646

薄膜トランジスタ

Inventor： 北方 誠
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992195990
Publication number (International publication number)：1994021462
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの微細化を可能にして高集積化図るとともに、製造の容易化を可能にする。【構成】 絶縁膜102上に形成されたゲート電極103と、このゲート電極及び絶縁膜に開設された開口部の側面に形成されたゲート絶縁膜105と、このゲート絶縁膜に沿ってゲート電極と対向するように形成された活性層ポリシリコン106と、開口部の底部と上部周囲において活性層ポリシリコンに形成された高濃度領域107とを有し、これら高濃度領域間の活性層ポリシリコンを電流経路として、トランジスタを厚さ方向に形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上に形成されたゲート電極と、このゲート電極及び前記絶縁膜に開設された開口部の側面に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜に沿って前記ゲート電極と対向するように形成された活性層ポリシリコンと、前記開口部の底部と上部周囲において前記活性層ポリシリコンに形成された高濃度領域とを有し、これら高濃度領域間の活性層ポリシリコンを電流経路としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。