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J-GLOBAL ID：200903070046171687

プラズマCVD法および装置

Inventor： 福山 聡
Applicant, Patent owner： 東芝機械株式会社
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995062537
Publication number (International publication number)：1996260152
Application date： Mar. 22, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ジクロールシランを用いたプラズマCVD法において、プロセス中に付着する塩化物(中間生成物)の量を最小限にして成膜を行うこと。【構成】 ジクロールシランを用いたプラズマCVD法において、反応炉1の壁面温度を150〜180°Cに保ってプラズマ処理を行う。また反応炉内側に反応炉内壁とは所定の距離を隔てて交換可能に石英筒体55を配置し、その石英筒体55の温度が150〜180°Cの温度になるように温度調節してもよい。

Claim (excerpt)：

ジクロールシラン(SiH2 Cl2 )を用いたプラズマCVD法において、反応炉の壁面温度を150〜180°Cに保ってプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (4)：

C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4)：

C23C 16/42 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C