Pat
J-GLOBAL ID：200903070048304641

有磁場誘導結合プラズマ処理装置

Inventor：
鈴木 伸昌

About 鈴木 伸昌


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993309300
Publication number (International publication number)：1995161489
Application date： Dec. 09, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：
【要約】【目的】 広範囲にわたって均一な高密度プラズマを発生させ、大面積基板の均一かつ高速なプラズマ処理を可能にするプラズマ処理装置の提供。【構成】 アンテナの中心軸及び磁界発生手段の中心軸を、真空容器の中心軸に実質的に垂直に配した有磁場誘導結合プラズマ処理装置。【効果】 均一にして高密度なプラズマを広範囲に形成できるため効率的な基体の処理や堆積膜の形成を行うことができる。
Claim (excerpt)：
減圧可能な柱状真空容器と、該真空容器内に配される被処理基体を支持するための支持手段と、前記真空容器の外部に設けられた1対以上のアンテナを用いて誘導結合方式により前記真空容器内に高周波エネルギーを導入する高周波エネルギー導入手段と、前記真空容器の外部に設けられた該真空容器内に定常磁界を発生させる磁界発生手段と、前記真空容器内に処理用ガスを導入するガス導入手段とを備えた有磁場誘導結合プラズマ処理装置であって、前記アンテナの中心軸及び前記磁界発生手段の中心軸を、前記真空容器の中心軸に実質的に垂直に配したことを特徴とする有磁場誘導結合プラズマ処理装置。
IPC (5)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (20)
  • 特開平3-068773
  • 特開昭63-080534
  • 特開平4-167400
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM