Pat

J-GLOBAL ID：200903070049119082

シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法

Inventor： 宝来 正隆 ,  梶田 栄治
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 生形 元重 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995158458
Publication number (International publication number)：1996330316
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 全面にGrown-in欠陥のないシリコン単結晶ウェーハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法でシリコン単結晶を育成する際に、引き上げ速度をV(mm/min )とし、シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における引き上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値をG(°C/mm)とするとき、V/G値を結晶中心位置と結晶外周から30mmまでの位置との間では0.20〜0.22mm2 /°C・min とし、結晶外周から30mmまでの位置と結晶外周位置との間では0.20〜0.22mm2 /°C・min とするか若しくは結晶外周に向かって漸次増加させる。OSFリングがウェーハ中心部で消滅し、且つリングの外側に生じるはずの転位クラスタも発生しない。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、熱酸化処理をした際にリング状に発生する酸化誘起積層欠陥がウェーハ中心部で消滅した低速育成ウェーハであり、且つウェーハ全面から転位クラスタが排除されていることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。

IPC (3)：

H01L 21/322 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502

FI (3)：

H01L 21/322 Y ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 J