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J-GLOBAL ID：200903070051058422

セラミックス回路基板及びその製造方法

Inventor： 福田 順三 ,  中居 俊博
Applicant, Patent owner： 株式会社住友金属セラミックス
Agent (1)： 高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993154460
Publication number (International publication number)：1994342965
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半田ぬれ性,接着強度,及び耐熱性に優れた導体回路を有する,セラミックス回路基板及びその製造方法を提供すること。【構成】 セラミックス基板2の表面に導体回路10を有する。導体回路10は,ニッケルメッキ膜12及び金メッキ膜13により表面を被覆された銅層11よりなる。銅層は,粒径0.5〜10μmの銅粉100重量部(以下,部という。)と,粒径0.01〜10μmの酸化銅粉0.1〜10.0部と,粒径0.5〜10μmのガラスフリット3〜10部とよりなる銅ペーストを焼成したものである。ガラスフリットは,40〜70重量%(以下,%という。)のPbO,5〜20%のSiO2 ,5〜40%のB2 O3 ,及び20%以下のROからなる。ニッケルメッキ膜の膜厚は0.5〜5μmであって,金メッキ膜の膜厚は0.05μm以上である。

Claim (excerpt)：

セラミックス基板の表面に導体回路を有するセラミックス回路基板であって,上記導体回路は,ニッケルメッキ膜及び金メッキ膜により表面を被覆された銅層よりなり,上記銅層は,粒径0.5〜10μmの銅粉100重量部(以下,部という。)と,粒径0.01〜10μmの酸化銅粉0.1〜10.0部と,粒径0.5〜10μmのガラスフリット3〜10部とよりなる銅ペーストを焼成したものであり,かつ上記ガラスフリットは,40〜70重量%(以下,%という。)のPbO,5〜20%のSiO2 ,5〜40%のB2 O3 ,及び20%以下のROからなり,上記ニッケルメッキ膜の膜厚は0.5〜5μmであって,上記金メッキ膜の膜厚は0.05μm以上であることを特徴とするセラミックス回路基板。

IPC (2)：

H05K 1/09 ,  H05K 3/24