Pat

J-GLOBAL ID：200903070052825001

ダイヤモンドを用いたエレクトロン・エミッターおよびエレクトロン・エミッター・アレーの作製

Inventor： 岡野 健
Applicant, Patent owner： 岡野 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993269385
Publication number (International publication number)：1995094081
Application date： Sep. 23, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 負の電子親和力を持つ、n型およびp型半導体ダイヤモンド単体を用いた、安定性に優れ、低電圧で高電流密度が得られるエレクトロン・エミッター、およびエレクトロン・エミッター・アレーの提供【構成】 ダイヤモンドの特徴の一つである負の電子親和力を利用し、適当な不純物を含むか、結晶中の欠陥等に起因したn型あるいはp型半導体的性質を有するダイヤモンド単体を用い、従来の半導体デバイス構造を用いずに、安定性に優れ低電圧で高電流密度が得られるエレクトロン・エミッター(電子放出素子)の作製、三極真空電子増幅素子の作製、および加工の極めて難しいダイヤモンドから成り、鋭い先端形状を持ち、これが規則正しく配列した、エレクトロン・エミックー・アレーの作製

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドの特徴の一つである負の電子親和力を利用し、不純物としてリン(P)・窒素(N)・リチウム(Li)・ナトリウム(Na)・酸素(0)などを含むか、結晶中の欠陥等に起因したn型半導体的性質を有するダイヤモンド、あるいは不純物としてホウ素(B)・アルミニウム(Al)など含みp型半導体的性質を有するダイヤモンド単体を用い、従来の半導体デバイス構造を用いる必要のないことを特徴とする、安定性に優れ、低電圧で高電流密度が得られるエレクトロン・エミッター(電子放出素子)の作製、および三極真空電子増幅素子の作製