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J-GLOBAL ID：200903070058286145

半導体素子の製造方法

Inventor： 辛 東 善 ,  李 正 来
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 中川 周吉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996340789
Publication number (International publication number)：1997186155
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明はSOG膜を表面平坦化膜として使用する金属層間絶縁膜を形成するとき、SOG膜の水分が下部金属配線に拡散することを防止することにその目的がある。【解決手段】 第1絶縁膜を形成し、第1絶縁膜上にSOG膜を塗布する前にN2 又はN2 Oプラズマ被爆処理をして第1絶縁膜に吸収又は吸着された水分を除去した状態でSOG膜を塗布及び硬化する。

Claim (excerpt)：

半導体素子の製造方法において、ポリ-金属層間絶縁膜上に下部金属配線が形成されたシリコン基板が提供され、前記下部金属配線を含む前記ポリ-金属層間絶縁膜上に第1絶縁膜が形成される段階と、プラズマ被爆を実施して前記第1絶縁膜上に生成される水分を除去する段階と、前記第1絶縁膜上にSOG膜及び第2絶縁膜を順次に形成する段階からなることを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-014224
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-193781   Applicant：富士通株式会社