Pat
J-GLOBAL ID：200903070061044209

窒化物半導体、窒化物半導体基板、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法

Inventor：
成田 准也

About 成田 准也

, 
多田 慎一

About 多田 慎一


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (2)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002320131
Publication number (International publication number)：2004158500
Application date： Nov. 01, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：
【課題】窒化物半導体の汚染やダメージによる結晶品質の低下が起こり難い、新たな窒化物半導体の横方向成長法を提供すること。【解決手段】窒化物半導体と組成が異なる基板10上に、基板10及び窒化物半導体と組成が異なる異種材料膜12を、基板10表面が周期的に露出するように形成する(第1工程)。次に、異種材料膜12を化学的方法によって除去する(第2工程)。基板10上に、第1工程において露出していた基板部分(領域B)を成長起点として窒化物半導体14を成長させる(第3工程)。そして、窒化物半導体14を、第2工程において前記異種材料膜が除去された基板部分(領域A)に横方向に伸長させる(第4工程)。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と組成が異なる基板上に、該基板及び窒化物半導体と組成が異なる異種材料膜を、前記基板表面が周期的に露出するように形成する第1工程と、 前記異種材料膜を化学的方法によって除去する第2工程と、 前記基板上に、前記第1工程において露出していた基板部分を成長起点として窒化物半導体を成長させる第3工程と、 前記窒化物半導体を、前記第2工程において前記異種材料膜が除去された基板部分に横方向に伸長させる第4工程と、 を備えたことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (4)：
H01L21/205 ,  C30B25/04 ,  C30B29/38 ,  H01S5/343
FI (4)：
H01L21/205 ,  C30B25/04 ,  C30B29/38 D ,  H01S5/343 610
F-Term (30)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077TC01 ,  4G077TC12 ,  4G077TC17 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DB09 ,  5F045HA01 ,  5F073AA13 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA33 ,  5F073EA16 ,  5F073FA27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM