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J-GLOBAL ID：200903070062292222

薄膜抵抗器及び薄膜抵抗器の製造方法

Inventor： 本間 光尚 ,  小山 幸宏 ,  佐藤 美樹 ,  大須賀 一行 ,  佐々木 勇 ,  及川 泰伸
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 南條 眞一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992178659
Publication number (International publication number)：1994020803
Application date： Jul. 06, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高い高温安定性と良好な抵抗温度特性を有し、生産性が良好な抵抗薄膜材料及び抵抗薄膜の製造方法を得る。【構成】抵抗薄膜材料として、Cr対Niの比が0.15〜0.74、Alが0.4〜4.0wt%、Siが0.2〜5.0wt%、AlとSiの総量が1.5〜8.0wt%であるNi-Cr-Al-Si4元系合金を用い、この薄膜抵抗材料を絶縁材料基板上に生成させ、この薄膜抵抗を酸素濃度0.001〜0.1ppm、温度300°C〜700°Cで1〜20時間熱処理を行い、さらに酸素濃度0.1〜100ppm、200°C〜500°Cで1〜10時間熱処理する。

Claim (excerpt)：

Cr対Niの比が0.15〜0.74、Alが0.4〜4.0wt%、Siが0.2〜5.0wt%、AlとSiの総量が1.5〜8.0wt%であることを特徴とする抵抗薄膜材料。

IPC (3)：

H01C 7/00 ,  C23C 14/18 ,  H01C 17/06