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J-GLOBAL ID:200903070065202615
透明導電膜形成用インジウム酸化物系焼結体
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大場 充
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995021222
Publication number (International publication number):1996193263
Application date: Jan. 13, 1995
Publication date: Jul. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、スパッタリング中の成膜速度やスパッタ電圧の変化等の成膜条件の不安定化が発生することなく品質の高い透明導電膜を安定して得ることのできる、寿命の安定した、さらには長寿命を有する透明導電膜形成用酸化インジウム系焼結体を提供することを目的とする。【構成】 インジウムおよび酸素を含む焼結体であり、焼結体中に存在する気孔の内、気孔径3μm以下気孔が50%以上存在する透明導電膜形成用インジウム酸化物系焼結体。
Claim (excerpt):
インジウムおよび酸素を含む焼結体であり、焼結体中に存在する気孔の内、気孔径3μm以下気孔が50%以上存在することを特徴とする透明導電膜形成用インジウム酸化物系焼結体。
IPC (4):
C23C 14/34
, C01G 1/00
, C01G 15/00
, H01B 13/00 503
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