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J-GLOBAL ID：200903070066026977

半導体加速度センサ及びその製造方法

Inventor： 竹内 幸裕 ,  大塚 義則 ,  秋田 成行 ,  服部 正 ,  山本 敏雅 ,  加納 一彦 ,  池田 裕胤
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993230520
Publication number (International publication number)：1994204502
Application date： Sep. 16, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 少ない基板数からなる新規な半導体加速度センサ及びその製造方法を提供することにある。【構成】 P型シリコン基板の主表面に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に梁形状の可動電極を形成する。そして、可動電極に対し自己整合的にP型シリコン基板に不純物を拡散して可動電極の両側において固定電極を形成し、可動電極の下の絶縁膜をエッチング除去する。よって、P型シリコン基板1と、P型シリコン基板1の上方に所定の間隔を隔てて配置された梁構造の可動電極4と、P型シリコン基板1における可動電極4の両側に可動電極4に対し自己整合的に形成された不純物拡散層よりなる固定電極8,9とを備え、加速度の作用に伴う可動電極4の変位によって生じる固定電極8,9間の電流の変化(増減)で加速度が検出されることとなる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置された梁構造の可動電極と、前記半導体基板における前記可動電極の両側に形成された不純物拡散層よりなる固定電極とを備え、加速度の作用に伴う前記可動電極の変位によって生じる前記固定電極間の電流の変化で加速度を検出するようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/125

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平4-278464
  
• 特開平4-025764
  
• 特開昭59-074682
  
• 特公昭48-014877
  

Cited by examiner (8)

• 特開平4-278464
  
• 特開平4-025764
  
• 特開昭59-074682
  
• 特公昭48-014877
  
• 特開平4-278464
  
• 特開平4-025764
  
• 特開昭59-074682
  
• 特公昭48-014877