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J-GLOBAL ID：200903070079626604

光デバイス

Inventor： 清水 悦朗 ,  上澤 豊
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 最上 健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996021651
Publication number (International publication number)：1997199804
Application date： Jan. 16, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 安価で信頼性の高い、半導体レーザーと光導波路とフォトダイオードとを備えた光デバイスを提供する。【解決手段】 N型シリコン基板101 上に絶縁膜102 を介して半導体レーザー103 を実装し、クラッド106 ,コア107 ,クラッド108 からなる光導波路109L,109Rをオンウエハープロセスによってシリコン基板101 上に絶縁膜102 を介してパターン形成し、更にシリコン基板101 にP型拡散層112L,112Rを形成して、N型シリコン基板101 との間にPNフォトダイオードを形成し、半導体レーザーと光導波路とフォトダイオードとを備えた光デバイスを構成する。

Claim (excerpt)：

半導体レーザと光導波路とを構成要素とする光出射機構と、フォトダイオードを構成要素とする受光機構とを有する光デバイスにおいて、一導電型のシリコン基板に反対導電型の第1の不純物層を形成してフォトダイオードを構成すると共に、該シリコン基板上にクラッド,コア,クラッドからなる光導波路をパターン形成し、該シリコン基板上に半導体レーザを貼り合わせて実装したことを特徴とする光デバイス。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/133

FI (3)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/133