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J-GLOBAL ID:200903070082420669

フッ素系高分子材料表面への金皮膜の形成方法及び該方法により得られた金皮膜付きフッ素系高分子材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004300301
Publication number (International publication number):2006111922
Application date: Oct. 14, 2004
Publication date: Apr. 27, 2006
Summary:
【解決手段】 金がエタノールに代表されるアルコール系水酸基含有化合物溶媒中にコロイド状に分散した金コロイドアルコール溶液と、フッ素系高分子材料とを接触させて該高分子材料の表面に金微粒子を付着させた後、金微粒子の表面を活性化させ、次いで、無電解又は電解金メッキを行うことを特徴とする、フッ素系高分子材料表面への金皮膜の形成方法、及び、該方法で得られた金皮膜付きフッ素系高分子材料。【効果】 実質上、不純物を含まない(すなわち金の単元素よりなる)金メッキ被覆層をフッ素系有機高分子材料の表面に形成することができる。【選択図】なし
Claim (excerpt):
金がアルコール系水酸基含有化合物溶媒中にコロイド状に分散した金コロイドアルコール溶液と、フッ素系高分子材料とを接触させて該高分子材料の表面に金微粒子を付着させ、次いで、金微粒子の表面を活性化させ、次いで、無電解又は電解金メッキを行うことを特徴とする、フッ素系高分子材料表面への金皮膜の形成方法。
IPC (1):
C23C 18/42
FI (1):
C23C18/42
F-Term (8):
4K022AA13 ,  4K022BA03 ,  4K022DA01 ,  4K022DA09 ,  4K022DB01 ,  4K022DB24 ,  4K022DB30 ,  4K022EA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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