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J-GLOBAL ID:200903070092124359
湿度センサ及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
平山 一幸
, 海津 保三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002186934
Publication number (International publication number):2004028839
Application date: Jun. 26, 2002
Publication date: Jan. 29, 2004
Summary:
【課題】低湿度や高湿度においても、また高湿度での連続使用においても、高精度に湿度を検出できる、湿度センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】銅配位高分子錯体(C2 H4 OH)2 dtoaCuを湿度の感知媒体とするセンサ素子11と、このセンサ素子のプロトン伝導度を測定する測定回路12から、湿度センサ10を構成する。配位高分子金属錯体は、(C3 H6 OH)2 dtoaCu,(C2 H4 OH)2 dtoaCu,H2 dtoaCu等である。この湿度センサ10は、室温で使用できると共に、水分子の吸収に伴ってプロトン伝導率が増大するので、高感度で湿度の検知を行なうことができる。RHが100%においても測定可能である。さらに、(C3 H6 OH)2 dtoaCuを用いた湿度センサの製造方法を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
配位高分子金属錯体R2 dtoaM(ここで、Mは金属)を湿度の感知媒体とするセンサ素子と、このセンサ素子のプロトン伝導度を測定する測定手段とから構成されていることを特徴とする、湿度センサ。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (18):
2G046AA09
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BB04
, 2G046BC03
, 2G046DA03
, 2G046DC13
, 2G046DD02
, 2G046EA02
, 2G046EA07
, 2G046EA09
, 2G046FA01
, 2G046FB00
, 2G046FE09
, 2G046FE11
, 2G046FE12
, 2G046FE25
Article cited by the Patent:
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