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J-GLOBAL ID：200903070098408910

低温焼結用誘電体材料の調製方法

Inventor： 野寄 佳成 ,  鈴木 靖生
Applicant, Patent owner： 富士電気化学株式会社
Agent (1)： 茂見 穰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996301287
Publication number (International publication number)：1998130050
Application date： Oct. 25, 1996
Publication date： May. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 焼成温度及び母体材料とガラス材料との組成比を一定に保ったままでも、製造ロット毎に異なる特性変動を補償し、最終製品の比誘電率を容易に一定にして製造工程における時間的、コスト的ロスの発生を回避する。【解決手段】 母体材料である仮焼済みのBaO-TiO2 -Nd2 O3 系の大量の高誘電率材料から少量秤量して先行試験用の母体材料を取り出し、別に秤量したガラス材料とを混合して微粉化する小バッチ粉体加工処理を行った後、試料を作製し比誘電率を測定する先行試験を実施する。比誘電率の目標値からの低下分に応じて1容積%以下の範囲内でBi2 O3 の添加量を求める。残りの母体材料とガラス材料とを先行試験と同じ組成比率となるように秤量し、それに所定量のBi2 O3 を添加し、混合して微粉化する大バッチ処理を行う。先行試験で比誘電率がほぼ目標値に一致していれば、Bi2 O3 を添加する必要は無い。

Claim (excerpt)：

母体材料である仮焼済みのBaO-TiO2 -Nd2 O3 系の大量の高誘電率材料から少量秤量して先行試験用の母体材料を取り出し、取り出した母体材料と、別に秤量したガラス材料とを混合して微粉化する小バッチ粉体加工処理を行った後、試料を成形し低温焼成して比誘電率を測定する先行試験を実施し、比誘電率の測定値の目標値からの低下分を求め、残りの大量の母体材料と前記と同じガラス材料とを先行試験と同じ組成比率となるように秤量し、それらの材料に先行試験結果による比誘電率の目標値からの低下分に応じて1容積%以下の範囲内でBi2 O3 を添加して混合し微粉化する大バッチ処理を行い、それによって大バッチ処理品の比誘電率が目標値にほぼ一致するように調整することを特徴とする低温焼結用誘電体材料の調製方法。

IPC (4)：

C04B 35/46 ,  G01N 1/36 ,  G01R 27/26 ,  H01B 3/12 303

FI (4)：

C04B 35/46 C ,  G01R 27/26 H ,  H01B 3/12 303 ,  G01N 1/28 Z