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J-GLOBAL ID：200903070099576425
フォトマスクの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079402
Publication number (International publication number)：1994289592
Application date： Apr. 06, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】光吸収性絶縁薄膜を備えるフォトマスクを電子線露光法により製造するに当たって、電子銃から照射された電子が電子線レジスト上に蓄積されることなく、安定して正確なパターン描画のできる方法を提供すること。【構成】透明基板1上に窒化タンタル薄膜2を形成し、その端部を残して光遮断性薄膜32と光吸収性絶縁薄膜31及び33を形成する。そして、上記端部の表面にアースピン5を当接した状態で電子線レジスト4上に描画する。電子銃から照射された電子は窒化タンタル2を介してアースピン5に放電される。
Claim (excerpt)：
透明基板上に窒化タンタル薄膜を形成し、次いでこの窒化タンタル薄膜上に、この窒化タンタル薄膜より小面積で窒化タンタル薄膜端部が露出する位置に光遮断性の金属薄膜と光吸収性絶縁薄膜とから構成される遮光性薄膜を形成し、次に上記窒化タンタル薄膜端部が露出するように上記遮光性薄膜上に電子線レジストを塗布し、上記窒化タンタル薄膜端部表面にアースピンを当接してこれを接地した状態で電子線描画し、次いで上記電子線レジストを現像し、こうして残存した上記電子線レジストをエッチングレジストとして上記遮光性薄膜の露出部位をエツチングすることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (2)：
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