Pat
J-GLOBAL ID：200903070112431180
パターン形成した共通電極を有するフラット・パネル放射線撮像装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
生沼 徳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996331335
Publication number (International publication number)：1997247533
Application date： Dec. 12, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：
【要約】【課題】 画素のホトダイオード電極と読出しデータ線との間の容量結合を低減して、動作中の幻影画像および画像アーティファクトを低減するフラットパネル放射線撮像装置を提供する。【解決手段】 装置は、光センサ120の画素アレイの上に配設された低容量結合共通電極180、スイッチング・トランジスタ130、並びに行および列の撮像アレイ・パターンに配列されたアドレス線(データ線140と走査線150)を有する。共通電極180は、データ線と同じ軸に沿った方向に延在する複数の共通電極列セグメント182を有する。各々の共通電極列セグメントは撮像アレイ・パターンの光センサのそれぞれの列に対応しており、光センサの列に隣接するデータ線から離隔距離Sだけ離隔し、また画素電極122からオーバーラップ距離Dだけ張り出すように画素電極の上に配設されている。
Claim (excerpt)：
読出し動作中に画像アーティファクトの少ない画像を生成するたフラットパネル放射線撮像装置において、基板上に配設された画素アレイであって、行および列の撮像アレイ・パターンに配設された複数の画素を含むと共に、前記撮像アレイ・パターンに配設された複数のアドレス線を含み、前記複数の画素の各々が薄膜トランジスタ(TFT)に結合された光センサで構成されており、前記複数のアドレス線が、第1の軸に沿った方向に延在して行に配列された複数の走査線および第2の軸に沿った方向に延在して行に配列された複数のデータ線を構成している画素アレイと、前記画素アレイの上に配設された低容量結合共通電極であって、前記第2の軸に沿った方向に延在する複数の共通電極列セグメントを含み、各々の共通電極列セグメントは前記撮像アレイ・パターンの光センサのそれぞれの列に対応し、更に各々の共通電極列セグメントは前記光センサの列に隣接するデータ線から所定の離隔距離だけ離隔するように配設されている低容量結合共通電極とを有することを特徴とするフラットパネル放射線撮像装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
