半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001052742
Publication number (International publication number)：2002261092
Application date： Feb. 27, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】有機低誘電率材料の持つ優れた誘電特性、平坦性およびギャップフィル特性を損なうことなく、低誘電率膜と保護膜との界面密着性を改善すること。【解決手段】窒素および水素を含有する混合ガスを用いたプラズマを用いたアッシングによりレジスト30を除去する。混合ガス中の水素の含有率は、体積基準で20%以下とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、酸化シリコンよりも低い比誘電率を有する有機低誘電率材料からなる絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をドライエッチングする工程と、窒素および水素を含有する混合ガスのプラズマを用いたアッシングにより、前記レジスト膜の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 P , H01L 21/88 K , H01L 21/90 S , H01L 21/90 V , H01L 21/90 A

F-Term (49)：

5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ15 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033XX25 , 5F033XX28 , 5F033XX34 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH05 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

アッシング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-013471 Applicant：ソニー株式会社
フォトレジスト/エッチング後の残留物を取り除くためのプラズマストリッピング処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-234323 Applicant：アクセリステクノロジーズインコーポレーテッド

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