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J-GLOBAL ID:200903070133513390
パターン形成方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
大谷 保
, 東平 正道
, 塚脇 正博
, 片岡 誠
, 平澤 賢一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009075630
Publication number (International publication number):2009260330
Application date: Mar. 26, 2009
Publication date: Nov. 05, 2009
Summary:
【課題】配向方向のそろったミクロ相分離構造膜を容易に、大面積で製造することができ、このミクロ相分離構造膜を用いてナノメートルスケールのパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】基板に、芳香環を含有するポリマー成分(A)及び液晶性を示すポリマー成分(B)の互いに非相溶性のポリマーが共有結合によって結合したブロック共重合体であって、かつ成分(A)が成分(B)より耐エッチング性が高いブロック共重合体を含有するパターン形成材料からなる膜を形成する工程と、イオンエッチング又は常圧プラズマにより前記膜中に形成されたミクロ相分離構造膜から液晶性を示すポリマー相を選択的に除去する工程を有するパターン形成方法である。【選択図】なし
Claim (excerpt):
基板に、芳香環を含有するポリマー成分(A)及び液晶性を示すポリマー成分(B)の互いに非相溶性のポリマーが共有結合によって結合したブロック共重合体であって、かつポリマー成分(A)がポリマー成分(B)より耐エッチング性が高いブロック共重合体を含有するパターン形成材料からなる膜を形成する工程と、前記膜をアニールして前記膜中に配向方向がそろったミクロ相分離構造膜を形成する工程と、イオンエッチングにより前記膜中に形成されたミクロ相分離構造膜から液晶性を示すポリマー相を選択的に除去する工程と、残存したポリマー相をマスクとして前記基板をエッチングして前記基板にミクロ相分離構造膜のパターンを転写する工程とを有するパターン形成方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (1):
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