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J-GLOBAL ID：200903070138935799
光電変換素子及びその製造方法
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004070058
Publication number (International publication number)：2005259548
Application date： Mar. 12, 2004
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：
【課題】簡易かつ低コストの方法により作製可能で、高い光電変換効率を実現可能な光電変換素子を得る。【解決手段】金属酸化物半導体層3を具備する光半導体電極20と、対向電極21と、これらの電極間に挟持されてなる電解質層4を具備する光電変換素子10において、対向電極21は、導電性高分子の有機溶媒分散溶液を塗布することにより形成された導電性高分子膜8を具備しているものとする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
金属酸化物半導体層を具備する光半導体電極と、
対向電極と、
前記光半導体電極、及び前記対向電極との間に挟持されてなる電解質層とを有する光電変換素子であって、
前記対向電極は、導電性高分子の有機溶媒分散溶液を塗布することにより形成された導電性高分子膜を具備していることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA14
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032CC16
, 5H032EE01
, 5H032EE02
, 5H032EE04
, 5H032EE18
, 5H032HH01
, 5H032HH04
