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J-GLOBAL ID：200903070143407300

半導体検査方法およびそれに用いる結晶欠陥検出液

Inventor： 加藤 照男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996225209
Publication number (International publication number)：1998070166
Application date： Aug. 27, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 結晶欠陥検出処理における安全性および作業性を向上させる。【解決手段】 Siのベース基板1aと、このベース基板1a上に形成された埋め込みSiO2 膜である酸化膜1bと、この酸化膜1b上に形成されたSiの活性層1cとからなる薄膜SOI基板1に対して、硝酸とフッ化水素酸とから組成されかつその容積比がフッ化水素酸1に対して硝酸250〜700である結晶欠陥検出液を用いてエッチング処理することにより、薄膜SOI基板1の活性層1cに形成された転位1eを検出して検査する。

Claim (excerpt)：

SOI構造の半導体基板を検査する半導体検査方法であって、硝酸にフッ化水素酸を添加して形成した結晶欠陥検出液を準備する工程、前記結晶欠陥検出液を用いて前記半導体基板をエッチング処理する工程を含み、前記半導体基板に形成された結晶欠陥を前記エッチング処理により検出して検査することを特徴とする半導体検査方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/308

FI (2)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/308 B