Pat
J-GLOBAL ID:200903070159839838
半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
柳瀬 睦肇 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001274843
Publication number (International publication number):2003087664
Application date: Sep. 11, 2001
Publication date: Mar. 20, 2003
Summary:
【要約】【課題】 エリアセンサとカラム型A/Dコンバータを集積することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 受光量に応じたアナログ画像信号を出力する複数のイメージセンサS11〜Smnを含むエリアセンサ2と、アナログ画像信号をラッチする信号ラッチ部3と、整数値を順次インクリメントして出力するカウンタ6、整数値に対して電位が折れ線状に上昇するスイープ信号を出力するスイープ信号発生部7、アナログ画像信号とスイープ信号とを比較し、スイープ信号が大きい場合にハイレベルの信号を出力するコンパレータC1〜Cn、コンパレータC1〜Cnが出力する信号がハイレベルとなった時に整数値をラッチして出力するラッチL1〜Lnを含むA/D変換部4と、A/D変換部4が出力するディジタル画像データをラッチして出力する信号ラッチ部5とを具備する。
Claim (excerpt):
画像を撮像してディジタル画像データを出力する半導体装置であって、受光量に応じたアナログ画像信号を出力する複数のイメージセンサを含むエリアセンサと、第1の値から第2の値までの数値を出力する第1の回路と、前記数値が前記第1の値から前記第2の値に向かうに従って電位が非線型に上昇する信号を出力する第2の回路と、前記イメージセンサが出力するアナログ画像信号と前記第2の回路が出力する信号とを比較して比較信号を出力する第3の回路と、前記比較信号に従って前記数値をディジタル画像データとして出力する第4の回路とを含むA/D変換部と、を具備する半導体装置。
IPC (4):
H04N 5/335
, H03M 1/08
, H03M 1/18
, H03M 1/48
FI (5):
H04N 5/335 Z
, H04N 5/335 E
, H03M 1/08 A
, H03M 1/18
, H03M 1/48
F-Term (15):
5C024CX43
, 5C024CY42
, 5C024GY31
, 5C024HX23
, 5C024HX29
, 5C024HX32
, 5J022AA03
, 5J022BA02
, 5J022BA04
, 5J022BA06
, 5J022CB07
, 5J022CE01
, 5J022CE05
, 5J022CF01
, 5J022CG01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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デジタル光学センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-042920
Applicant:株式会社東芝
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センサインタフエース回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-267941
Applicant:渡辺健藏, エスエムシー株式会社
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特開昭54-093349
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