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J-GLOBAL ID：200903070175381337

化学増幅レジスト用単量体、化学増幅レジスト用重合体、化学増幅レジスト組成物、パターン形成方法

Inventor： 前田 勝美 ,  中野 嘉一郎
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001394173
Publication number (International publication number)：2003064131
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Mar. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】220nm以下の光に対する光透明性が高く、エッチング耐性が高く、基板密着性に優れた化学増幅レジストを提供する。【解決手段】少なくとも下記一般式(I)で表される3-オキソ-4-オキサビシクロ[3.2.1]オクタン-2-イルを有する基により置換されたビニル重合体を用いて、化学増幅レジストを調製する。【化1】(式中、L1〜L6は独立に水素または炭素数1〜8のアルキル基を表し、L5及びL6は互いにつながり環を形成する炭素数1〜10のアルキレン基でもよい。)

Claim (excerpt)：

下記一般式(I)で表される3-オキソ-4-オキサビシクロ[3.2.1]オクタン-2-イル基を有するビニル単量体よりなる化学増幅レジスト用単量体。【化1】(式中、L1〜L6は独立に水素または炭素数1〜8のアルキル基を表し、L5及びL6は互いにつながり環を形成する炭素数1〜10のアルキレン基でもよい。)

IPC (5)：

C08F 20/28 ,  C07D311/00 ,  C08F 32/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5)：

C08F 20/28 ,  C07D311/00 ,  C08F 32/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (39)：

2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4C062KK03 ,  4J100AK32R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA36 ,  4J100DA62 ,  4J100JA38