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J-GLOBAL ID：200903070177639927

発光素子

Inventor： 柴田 典義 ,  近藤 和行 ,  原田 昌史
Applicant, Patent owner： 財団法人ファインセラミックスセンター
Agent (1)： 小島 清路 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001263878
Publication number (International publication number)：2003078165
Application date： Aug. 31, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 簡便に製造することができ、従来に比べて発光効率が高く、また、使用による劣化がより少なく寿命が長い発光素子を提供する。更に、白色発光が可能な発光素子及びフルカラー発光が可能な発光素子を提供する。【解決手段】 n型Si(111)基板11上に、炭化ケイ素結晶からなる中間層15をエピタキシャル成長させ、更に、この中間層15上にp型AlGaN半導体層部121、GaN結晶層部122、及び、n型AlGaN半導体層部123の各々この順でエピタキシャル成長させて積層し、3層からなる13族元素窒化物発光ダイオード層12を形成する。次いで、13族元素窒化物発光ダイオード層12表面から、青色蛍光体層部131、緑色蛍光体層部132及び赤色蛍光体層部133を各々この順でエピタキシャル成長させて積層し、3層からなる酸化亜鉛結晶蛍光体層13を形成し、下部電極141及び上部電極142を形成して得る。

Claim (excerpt)：

13族元素窒化物発光ダイオード層と、該13族元素窒化物発光ダイオード層表面からエピタキシャル成長した酸化亜鉛結晶蛍光体層とを備えることを特徴とする発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 F

F-Term (12)：

5F041AA42 ,  5F041AA44 ,  5F041CA08 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CB36 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11