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J-GLOBAL ID：200903070181766437
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992228470
Publication number (International publication number)：1994077493
Application date： Aug. 27, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【構成】 浮遊ゲート電極3及び制御ゲート電極5の側壁及びドレイン不純物拡散層6及びソース不純物拡散層7の浮遊ゲート電極3側端部を覆うように層間熱酸化膜8下に酸化剤を通さない窒化膜15を設ける。【効果】 層間熱酸化膜上に形成される層間絶縁膜の平坦化のための熱処理によるリフロー時に、ゲート電極の側壁及びソース及びドレインのゲート電極側端部が酸化されないので、ソース及びドレインのゲート電極側端部のゲート・バーズ・ビーグが厚くならないため、良好な特性と高い信頼性が得られる。
Claim (excerpt)：
ゲート電極とソース及びドレイン上を覆う層間熱酸化膜を有する半導体装置において、上記層間熱酸化膜下みにあって上記ゲート電極の側壁と上記ソース及び上記ドレインの上記ゲート電極側端部を酸化剤を通さない酸化防止用膜により覆ったことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
