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J-GLOBAL ID：200903070187902405

FETスイツチ装置

Inventor： 藤原 正人
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 田澤 博昭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992070064
Publication number (International publication number)：1993090935
Application date： Feb. 21, 1992
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 FETのOFF時におけるアイソレーション特性を広帯域化し、またON時における反射特性を改善したFETスイッチ装置を得る。【構成】 入力端子と第1の出力端子の間に接続される直列装荷側FETを、それぞれが並列インダクタンスを有する複数のFETを直列接続したものとし、また当該FETの直列接続を分布定数線路を介して行った。【効果】 2つの出力端子間のアイソレーション特性が広帯域化されて、所望の帯域外でのループ発振が抑制でき、また並列インダクタンスを含む直列装荷側FET間の反射を相殺して良好な反射特性が得られる。

Claim (excerpt)：

入力端子と第1の出力端子との間に直列接続された複数の第1のFETと、上記入力端子と分布定数線路を介して接続された第2の出力端子と基準電位との間に接続された第2のFETと、上記複数の第1のFET及び第2のFETにそれぞれ並列接続された複数のインダクタンスと、上記複数の第1のFETのゲート電極と上記第2のFETのゲート電極とに共通のバイアス電圧を加えるバイアス端子とを備えたFETスイッチ装置。