加熱体及びこれを用いた半導体製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997240472
Publication number (International publication number)：1999067740
Application date： Aug. 21, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】エッチングガスやプラズマに侵され難く、パーティクルやコンタミネーションを発生することがないと共に、寿命が長く、強度の高い加熱体とこの加熱体を配備した半導体製造装置を提供する。【解決手段】少なくとも反応室内に半導体シリコンウエーハを配置し、これを加熱しつつ処理を加える半導体製造装置に用いられる、半導体シリコンウエーハを加熱するための基材と導電層からなる加熱体において、該基材の材質をシリコンとした加熱体および該加熱体を用いた半導体製造装置。

Claim (excerpt)：

少なくとも反応室内に半導体シリコンウエーハを配置し、これを加熱しつつ処理を加える半導体製造装置に用いられる、半導体シリコンウエーハを加熱するための基材と導電層からなる加熱体において、該基材の材質がシリコンであることを特徴とする加熱体。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H05B 3/14

FI (4)：

H01L 21/302 B , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H05B 3/14 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

熱処理方法及び熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-327406 Applicant：ソニー株式会社
半導体ウエファ支持用サセプタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-332089 Applicant：シーブイディー,インコーポレイティド
ウエハー加熱装置および加熱装置用発熱体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-329406 Applicant：住友大阪セメント株式会社

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