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J-GLOBAL ID：200903070194298963
電子放出素子、電子源、及びそれを用いた画像形成装置と、それらの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994215259
Publication number (International publication number)：1996064123
Application date： Aug. 18, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】 画像形成装置等の電子源として用いられる表面伝導型電子放出素子の素子欠陥の発生率を低減し得る製造方法を提供する。【構成】 基板1上に形成した素子電極4,5間を連絡する導電性薄膜3に電子放出部2が設けられた表面伝導型電子放出素子の製造方法において、導電性薄膜3のパターニング工程が、導電性薄膜3の構成材料となる金属の膜を基板上に形成する工程、該金属膜のうち導電性薄膜3となる領域に光照射して該領域を金属酸化物膜とする工程、金属膜及び酸化金属膜と基板面とのそれぞれの密着性の違いを利用し、粘着面に金属膜のみを付着させて基板面から剥離する工程からなることを特徴とする。【効果】 従来用いていた導電性薄膜のパターニング用の金属膜の膜残しによるショート欠陥が発生しない。
Claim (excerpt)：
基板上に形成した一対の素子電極間に設けられた導電性薄膜に電子放出部が設けられた電子放出素子の製造方法において、上記導電性薄膜のパターニング工程が、導電性薄膜の構成材料となる金属の膜を基板上に形成する工程と、上記金属膜のうち導電性薄膜となる領域に光を照射することにより、該領域のみ選択的に金属酸化物膜とする工程と、上記金属膜及び金属酸化物膜と、上記基板面との付着力の違いを利用し、粘着性を有する面に該金属膜を付着させて基板面から剥離する工程を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (4)：
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 31/12
, H01J 31/15
