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J-GLOBAL ID：200903070203597650
シリコン膜の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992198714
Publication number (International publication number)：1994291047
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 モノシランやジシランに比べて安全な原料物質を用いて、また、成膜すべき基体を加熱しないでシリコン膜を形成する方法を提供する。【構成】 原料物質にテトラメチルシラン又は(及び)テトラエチルシランを用い、該原料物質を成膜すべき基体10に吸着させ、水素イオンビームを該基体に向け照射し、或いは該基体を水素プラズマに曝して該記基体上にシリコン膜10aを形成する。
Claim (excerpt)：
原料物質にテトラメチルシラン又は(及び)テトラエチルシランを用い、前記原料物質を成膜すべき基体に吸着させ、水素イオンビームを前記基体に向け照射して前記基体上にシリコン膜を形成することを特徴とするシリコン膜の形成方法。
IPC (2)：
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