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J-GLOBAL ID：200903070221358302

層間絶縁膜の形成方法

Inventor： 佐藤 伸良 ,  徳永 恭二 ,  片桐 智治 ,  橋本 毅 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231840
Publication number (International publication number)：1993003258
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 成膜速度が速く、低温で成膜しても良好な平坦性を得ることができる層間絶縁膜の形成方法を提供する。【構成】 半導体装置の半導体素子と金属配線間、あるいは金属配線同士の間に形成する層間絶縁膜を、有機シラン材料を原料ガスに用い、オゾンを酸化剤に用いて、加圧下において化学蒸着法で形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

半導体装置の半導体素子と金属配線間、あるいは金属配線同士の間に形成する層間絶縁膜を、有機シラン材料を原料ガスに用い、オゾンを酸化剤に用いて、加圧下において化学蒸着法で形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316