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J-GLOBAL ID：200903070228414232

結晶性ミクロ多孔体の中間体の製造方法

Inventor： 横田 正夫 ,  山本 琢久 ,  清水 愼一
Applicant, Patent owner： 株式会社クボタ
Agent (1)： 北村 修一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998327895
Publication number (International publication number)：2000154018
Application date： Nov. 18, 1998
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高収率の結晶性ミクロ多孔体の中間体の製造方法を提供すること。【解決手段】 アンモニウムイオン(R4N+:Rは水素、炭素数10以下のアルキル基あるいはアリール基から選ばれる少なくとも一種)、ホスホニウムイオン(R4P+:Rは水素、炭素数10以下のアルキル基あるいはアリール基から選ばれる少なくとも一種)、アミン類から選ばれる少なくとも一種の結晶化調整剤と、カネマイトを含んでなるアルカリ性無機材料混合液とを混合しイオン交換させる混合工程、及び、その混合工程で得られた反応液を60°C以下の液体条件下で攪拌する工程を有する。

Claim (excerpt)：

アンモニウムイオン(R4N+:Rは水素、炭素数10以下のアルキル基あるいはアリール基から選ばれる少なくとも一種)、ホスホニウムイオン(R4P+:Rは水素、炭素数10以下のアルキル基あるいはアリール基から選ばれる少なくとも一種)、アミン類から選ばれる少なくとも一種の結晶化調整剤と、カネマイトを含んでなるアルカリ性無機材料混合液とを混合しイオン交換させる混合工程、及び、その混合工程で得られた反応液を60°C以下の液体条件下で攪拌する工程を有する結晶性ミクロ多孔体の中間体の製造方法。

F-Term (18)：

4G073BB42 ,  4G073BB48 ,  4G073BB62 ,  4G073BD11 ,  4G073CA06 ,  4G073CN04 ,  4G073CZ49 ,  4G073CZ50 ,  4G073FA11 ,  4G073FB11 ,  4G073FB48 ,  4G073FC19 ,  4G073FC25 ,  4G073FD01 ,  4G073FD02 ,  4G073FD08 ,  4G073UA04 ,  4G073UA06